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EGF1A - EGF1D
?2001 Fairchild Semiconductor Corporation
EGF1A-EGF1D, Rev. D
Typical Characteristics
Pulse
Generator
(Note 2)
50?50?
trr
+0.5A
NONINDUCTIVE
NONINDUCTIVE
DUT
(-)
?(+)
OSCILLOSCOPE
(Note 1)
50
NONINDUCTIVE
50V
(approx)
NOTES:
1. Rise time = 7.0 ns max; Input impedance = 1.0 megaohm 22 pf.
2. Rise time = 10 ns max; Source impedance = 50 ohms.
Reverse Recovery Time Characterstic and Test Circuit Diagram
012 51020 50100
10
20
30
40
Number of Cycles at 60Hz
Peak Forward Surge Current, I
FSM
[A]
1.0cm SET TIME BASE FOR
0
-0.25A
-1.0A
5/ 10 ns/ cm
0.1
0 20406080100120140
1
10
100
1000
Percent of Rated Peak Reverse Voltage [%]
Reverse Current, I
R
[mA]
T = 25 C
T = 25 C
J A
oo
T = 100 C
A
o
0.010.2 0.4 0.6 0.8 1 1.2 1.4 1.6
0.1
1
10
100
Forward Voltage, VF
[V]
Forward Current, I
F
[A]
T = 25 C
T = 25 C
J A
oo
Pulse Width = 300
μμμμS
2% Duty Cycle
00.1 0.5 1 2 5 10 20 50 100 500
10
20
30
40
50
60
Reverse Voltage, VR
[V]
Total Capacitance, C
T
[pF]
00 255075100125150175
0.2
0.4
0.6
0.8
1
1.2
1.4
1.6
Lead
Temperature [oC]
Average Rectified Forward Current, I
F
[A]
RESISTIVE OR
INDUCTIVE LOAD
P.C.B. MOUNTED
ON 0.2 x 0.2"
(5.0 x 5.0 mm)
COPPER PAD AREAS
Figure 1. Forward Current Derating Curve Figure 2. Forward Voltage Characteristics
Figure 3. Non-Repetitive Surge Current
Figure 4. Reverse Current vs Reverse Voltage
Figure 5. Total Capacitance
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